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金属氧化场效应晶体管
中低压 MOSFET
低压 P-ch (-30V ~ -5V)

低压 P-ch (-30V ~ -5V)

P 沟道 MOSFET 接纳空穴作为载流子,,,,,,需要栅极到源极的负电才华导通。。。 。。。。因此,,,,,,它是高边开关的优先选择;;;;;并且栅极驱动简朴,,,,,,可降低整体终端本钱。。。 。。。。

因应消耗电子、工业及电机控制、通讯等终端里的低压电池治理系统 / 充电器、防反接�;;;;;ぁ⒏涸乜亍C-DC 转换器等诸多应用,,,,,,优德88最新官网 提供以下列内外的低压 P 沟道 MOSFETs (沟槽 / 屏障栅型沟槽手艺平台) 予电路设计工程师选用。。。 。。。。
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